NAND Flash层数之争：谁先触抵墙面？

预购了32层MLC 3D V-NAND，这也这不一定3D NAND年末商用化。继三星电子不久，惠普公司也实现了3D NAND商用化。凭借其在MB、飞行速度、能效及性能的优势，3D NAND迅速被选为从业人员其发展本土化。

3D不久，4D NAND先是预示。SK海力士在2018年技术开发的96层NAND Flash已挤下了有别于的3D方式将，并导入4D方式将，该款也被选为了世界各地GS4D NAND Flash。

据明白，4D NAND子系统设计是由APlus Flash Technology公司驳斥有，其子系统设计原理是NAND+类DRAM的混合型RAM，引入了“更是多工”的平行架构，而3D NAND只能继续执行“更是一工”。若一到十工同时在4D硬盘子系统继续执行时，其飞行速度会比3D NAND快一到十倍。虽然比起3D方式将，4D架构具有静态国土面积愈来愈小，生产厂效率愈来愈高的优点。不过，现有市面上还是以3D NAND为主。

从大院到双塔，各大新车的谋略

随着应用各个领域和用于场景极其多样，消费者市场对NAND Flash的敦促也曾一度提升，譬如想要愈来愈高的读写飞行速度、最大化的存储设备MB、愈来愈低的效能和价位等。可引入二维正方形一组方式将的2D NAND并未便能实现消费者市场的需要，这一切也促使NAND产品必需谋定而后动，不久便沉下心来埋头技术开发，NAND Flash合构也从大院蜕变到双塔。

引入三维自由空间正方形一组方式将3D NAND虽大大提高了存储设备自由空间，但如何跃升3D NAND层天内困难，一组愈来愈高的双塔，多年来是消费者市场的焦点，也是NAND产品技术开发的痛点。在此仍要，数场有关NAND Flash的层天内之争已长时间天内年，NAND产品从未挥动反击集合号，这一路也拿下了不少的成就。

自2012年24层BiCS1 FLASHTM 3D NAND Flash不久，铠侠还技术开发出有了48层、64层、96层、112层/128层。2021年，铠侠联手西部天内据跃升162层BiCS6 FLASHTM 3D NAND Flash。本年度5月末，西部天内据与铠侠未来会的路线图忽视，原定2024年BiCS+的层天内最少200层，如果一切按计划后下行，2032年不该会看到500层NAND硬盘。

可追溯在3D NAND各个领域开发新势力范围的是韩国政府产品三星电子。2013年8月末，三星电子上架V-NAND（3D NAND）硬盘，这也是世界各地首个3D静态合构“V-NAND”。不久，三星电子还相继上架了32层、48层、64层、96层、128层、176层的V-NAND。2021年末，三星电子曾透露刚刚层天内200+的V-NAND厂家，现有暂未披露相关信息。

作为韩国政府第二大存储设备产品的SK海力士也不甘落后，在2014年技术开发出有3D NAND厂家，并在2015年技术开发出有36层3D NAND，不久按照48层、72层/76层、96层、128层、176层的顺序相继上架硬盘新厂家。2022年8月末3日，SK海力士先将层天内跃升到238层的新高度，该层天内是当前世界各地GS同业最管理人员天内NAND硬盘，厂家将于2023年月份投入量产。

2016年，惠普公司发表3D NAND，虽然发出有间隔时间晚于三星电子等上述几家产品，但后期惠普公司的技术开发统治力不能不胜于。在2020年惠普公司抢先上架以前同业GS176层3D NAND，后又于2022年7月末率先上架世界各地GS232层NAND，该厂家曾一度在惠普公司新加坡工厂量产。惠普公司对此，未来会还将好爸爸2YY、3XX与4XX等愈来愈管理人员天内。

现有从新车动态来看，SK海力士和惠普公司率先带入200+层时代，其里NAND硬盘同业最管理人员天内为SK海力士的238层，其次是惠普公司的232层。本土化子系统设计NAND Flash 3D一组层天内已跨越176层、232层、迈后下238层，未来会新车还将好爸爸200+层、300层、400层、甚至500层以上NAND子系统设计。

在2021年IEEE国际性能物理年会上，SK海力士假设，3D NAND未来会将降至600层以上。另有一些从业人员研究成果者忽视，3D NAND可以一组到1000层。可见，隔NAND Flash子系统设计的墙面还有更高的相距。

△Source：世界各地矽观察根据官方信息抄录

NAND Flash未来会既柳暗，又花明？

年末在5GPDA、搜索引擎、PC等中游需要驱动下，NAND Flash消费者市场以可见的飞行速度在快速增长。可本年度，所致疫情一先、通货膨胀、俄乌冲突等环境因素不良影响，世界各地局势变化多尾端。同时，RAM消费者市场长期存在与价位震荡时刻所致科技产业其发展动态不良影响，而作为RAM消费者市场的主要构成厂家之一，NAND Flash也不例外。

01、长期存在致使

从消费者尾端看，PC、平板电脑、笔记型软体等消费者电子消费者市场需要每况愈下，也不良影响到里上游科技产业链。其里，笔记型软体需要锐减明显，出有货量也曾一度下降。据TrendForce集邦咨询对此，所致到有别于淡季的加乘效应，使得2022年第一季笔记型软体生产厂表现愈来愈显不济，世界各地需求量仅据统计3.1亿支，季减12.8%。

此番普遍性忽视，长时间增高的最大情况是卖家用于笔记型软体的间隔时间比在此之前愈来愈长。先欠缺笔记型软体子系统设计愈来愈新快，新型号PDA的耐用性与之前型号并无特别大的差别，从某种程度上看，这也下降了卖家的购买欲。

从原材料尾端来看，TrendForce集邦咨询7月末对此，由于需要未见好转，NAND Flash产出有及晶圆转后下长时间，下半年消费者市场供过于求缓和，相关联平板电脑、CBS与笔记型软体等消费者性电子下半年秋冬季不旺已成消费者市场实质，物料储备水位长时间攀升被选为原材料链风险。因的平台储备去化缓慢，卖家拉货态度极端，造成储备缺陷漫溢至上游原材料尾端，货款承所致的抛货压力与日俱增。

TrendForce集邦咨询预估，由于长期存在致使急速恶化，第三季NAND Flash价位急跌将扩大至8~13%，且跌势恐将延续至第四季。

02、新车持忠诚信念

所致PDA与个人软体等消费者电子消费者市场需要每况愈下等环境因素不良影响，惠普公司于6月末平淡假设，本年度第四财季盈利为72亿美元，上下4亿美元浮动，这一天内据低于同业意味著；又于8月末先度下调第四季度业绩指引，该季度经相应盈利将位于或低于年末原定的68-76亿美元复线下沿。

年末惠普公司主管继续CEOSanjay Mehrotra在财报电话会议上对此，原定笔记型软体销量将较去年增高据统计5%，而个人软体销量可能比去年增高10%，惠普公司刚刚相应需求量快速增长，以适应需要的减弱。不过，TrendForce集邦咨询8月末在最新的研究成果忽视，所致到高通货膨胀冲击，世界各地对于消费者消费者市场普遍性无视这不明朗的态度，基于周期性的换机需要以及新兴地区的自订需要带领下，笔记型软体生需求量仍会小幅增高。

SK海力士年末也假设，由于配置RAM的软体和笔记型软体的出有货量将低于原有的假设，并且搜索引擎用RAM的需要也因卖家的储备优先出有货，原定下半年的RAM出有货量将有所上升。不过里长期来看，天内据里心的RAM需要将长时间蓬勃发展。

三星电子、SK海力士、惠普公司、西部天内据、铠侠等RAM新车在最新财报里均对此虽然之外消费者市场需要每况愈下，但都忠诚看好科技产业未来会前景，各新车保持忠诚的期待也为RAM消费者市场扫去之外阴霾。

据TrendForce集邦咨询最新研究成果显示，NAND Flash仍东南面供过于求情况下，但该厂家与DRAM相较愈来愈具价位张力，尽管意味著明年月份价位仍会走跌，但均价在连续多季下滑后，可望焦虑enterprise SSD消费者市场单机配置MB蓬勃发展，预估需要位元蓬勃发展将据统计28.9%，而物资供应位元蓬勃发展据统计32.1%。

合 书面语言

长远来看，NAND Flash消费者市场前路虽柳暗，但花明。同时，NAND产品再一地技术开发，本年度有的先增高一个台阶，有的还在停步技术开发，最终谁先触抵NAND Flash层天内墙面，我们静待观之。

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